中国科学院西安光学精密机械研究所副研究员曹伟伟做客我校“未央导师论坛”

12月12日，应轻工科学与工程学院（柔性电子学院）邀请，中国科学院西安光学精密机械研究所曹伟伟副研究员做客我校“未央导师论坛”，作了题为“氧化稼薄膜生长与光电性能研究”的学术报告，报告由轻工学院袁索超教授主持，轻工学院相关教师、研究生参与了本次报告会。

曹伟伟副研究员首先介绍了中国科学院西安光学精密机械研究所的基本情况，以及所在研究室的人才介绍与研究方向和研究成果。团队人员全面研究了热退火对 Ga2O3薄膜的结构、表面形貌、缺陷状态和光学性能的影响。建立了退火气氛、缺陷状态与 Ga2O3薄膜光学特性之间的相关性，通过精确控制生长条件，成功制备出高质量的氧化稼薄膜，实现了对薄膜厚度、结晶度和表面平整度等参数的精准调控。团队人员基于该薄膜制备了Ga2O3 MSM太阳盲紫外线探测器，该器件具有高达 800 A/W 的高响应率和 6×10¹⁴ 琼斯的探测率，光暗电流比大于 10³，外部量子效率超过 10³，具有显著增益。相关研究为其在航天航空以及深空探测方面的应用提供了广阔的前景，同时该研究成果对于非视域光通信、导弹跟踪以及火灾预警等领域实现高灵敏探测具有重要意义，有望推动新一代高效低成本紫外日盲光电器件的研发与应用，为我国光电产业的发展注入新的活力，也标志着西安光机所在氧化稼薄膜研究领域达到了新的高度，持续为我国光学材料与器件技术的发展贡献力量。

会后，曹伟伟针对师生所提出的问题进行了认真细致的解答，为光电探测和光通信相关方面的研究与未来发展趋势进行了建议与指导，使参会师生深受启发。

新闻小贴士：

曹伟伟，副研究员，中国科学院西安光学精密机械研究所空间科学微光探测技术研究室副主任，瞬态光学与光子技术国家重点实验室光电探测器骨干成员，中国科学院超快诊断重点实验室空间微光核心探测器技术攻关组组长。长期从事电真空、半导体光电探测器材料与器件工艺技术研究和空间科学探测应用。熟悉InGaAs、Ga2O3等材料与器件体系，掌握单光子成像探测器、电真空与半导体技术结合的光电混合探测（HPD）等光电探测器件的开发。所研制的紫外单光子阳极探测器搭载电离层成像探测仪在轨稳定运行4年，负责的一体化IsCMOS相机支撑高能宇宙辐射探测设施（HERD）完成国际联合评审。

（核稿：刘国栋 编辑：刘倩）